单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
-CoolMOS™ C7CoolMOS™ CE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Tc）2.6A（Ta）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 24.9A，10V100 毫欧 @ 2.6A，10V2.1 欧姆 @ 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3.5V @ 60µA4V @ 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 10 V12 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 100 V320 pF @ 15 V4340 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）38W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TO263-3SC-70-3
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
793
现货
1 : ¥93.92000
剪切带（CT）
1,000 : ¥51.43718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
9,279
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 2.6A，10V
2.2V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
320 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
TO252-3
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Infineon Technologies
10,206
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.3A（Tc）
10V
2.1 欧姆 @ 760mA，10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
38W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。