单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)500mA(Ta)530mA(Ta)3.2A(Ta)5A(Tc)12A(Ta)15.2A(Ta),20.5A(Tc)22A(Ta)25A(Tc)60A(Ta)60A(Tc)211A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,8V3V,8V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 30A,10V2.3 毫欧 @ 25A,10V7.5 毫欧 @ 10A,10V9.9 毫欧 @ 12A,10V11.6 毫欧 @ 4A,10V15.1 毫欧 @ 8A,8V24 毫欧 @ 4A,8V29 毫欧 @ 5A,4.5V30 毫欧 @ 4A,8V54 毫欧 @ 3.2A,4.5V1 欧姆 @ 400mA,4.5V1.573 欧姆 @ 200mA,10V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA900mV @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.55V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 100µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 4.5 V2 nC @ 10 V2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26 pF @ 10 V33 pF @ 15 V76 pF @ 15 V340 pF @ 12.5 V340 pF @ 15 V468 pF @ 15 V551 pF @ 10 V879 pF @ 15 V1110 pF @ 20 V1150 pF @ 30 V3250 pF @ 15 V4420 pF @ 15 V7120 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)400mW(Ta),8.33W(Tc)450mW(Ta)1.25W(Ta)2.3W(Ta)2.5W(Ta)2.8W(Ta),108W(Tc)3.1W(Ta),5.6W(Tc)16W(Tc)66W(Tc)139W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
6-SON6-SON(2x2)6-UDFNB(2x2)6-WSON(2x2)8-SOIC8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-VSON-CLIP(5x6)8-VSONP(3x3.3)DFN1010D-3PowerPAK® 0806SOT-23-3UMT3F
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘6-SMD,扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 0806SC-85TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,825
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
UMT3F
SC-85
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
48,078
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.81382
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
54 毫欧 @ 3.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
551 pF @ 10 V
-
400mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,216
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32358
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
5A(Tc)
3V,8V
24 毫欧 @ 4A,8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-SON
6-SMD,扁平引线
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
55,159
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.27354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Ta)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 25A,10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),108W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
35,777
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 12A,10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
6-WDFN Exposed Pad
CSD17571Q2
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Texas Instruments
18,689
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
2V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
468 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-SON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
DMP31D0U-7
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Diodes Incorporated
73,307
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
530mA(Ta)
1.8V,4.5V
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
450mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSD-6-SON Pkg
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
13,607
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30867
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Tc)
3V,8V
30 毫欧 @ 4A,8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
340 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
16,901
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.36400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta)
4.5V,10V
11.6 毫欧 @ 4A,10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
150°C
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
8-SOIC
SI4151DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Vishay Siliconix
1,149
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.05426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15.2A(Ta),20.5A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±25V
3250 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),5.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-Power TDFN
CSD18512Q5B
MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Texas Instruments
3,233
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.13919
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
211A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
-
±20V
7120 pF @ 20 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
PowerPAK-0806
SIUD401ED-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Vishay Siliconix
3,150
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75697
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
500mA(Ta)
2.5V,10V
1.573 欧姆 @ 200mA,10V
1.4V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±12V
33 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 0806
PowerPAK® 0806
6-WSON
CSD17318Q2T
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
2,986
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
250 : ¥5.55344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Tc)
2.5V,8V
15.1 毫欧 @ 8A,8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。