单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V80 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）480mA（Ta）135A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 31A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，4.5V9 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 1mA3.6V @ 153µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V200 pF @ 25 V2680 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta），2.8W（Tc）2.5W（Ta）119W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）DFN0606-3SOT-223-3
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFN，5 引线TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZVP4424GTA
MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223
Diodes Incorporated
4,738
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.85904
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
480mA（Ta）
3.5V，10V
9 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
DFN0606-3
NX5008NBKHH
MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
17,945
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.37612
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
350mA（Ta）
-
2.8 欧姆 @ 200mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
30 pF @ 25 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS3D5N08XT1G
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.92021
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
135A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 31A，10V
3.6V @ 153µA
38 nC @ 10 V
±20V
2680 pF @ 40 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。