单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SIPMOS®SuperMESH™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）400mA（Tc）2.6A（Tj）4.2A（Ta）4.3A（Tc）5.6A（Tc）6.5A（Tc）6.6A（Ta）8A（Tc）12A（Tc）12.5A（Ta），50A（Tc）74A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 18A，10V25.2 毫欧 @ 12.5A，10V28 毫欧 @ 6.6A，10V29 毫欧 @ 8A，10V31 毫欧 @ 7.9A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V68 毫欧 @ 2.4A，10V90 毫欧 @ 2.6A，10V95 毫欧 @ 5A，10V160 毫欧 @ 2.8A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 20µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V3.77 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V100 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V156 pF @ 25 V225 pF @ 50 V380 pF @ 25 V550 pF @ 30 V555 pF @ 10 V808 pF @ 15 V1480 pF @ 50 V1490 pF @ 50 V1594 pF @ 25 V4700 pF @ 40 V5000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.4W（Ta）1.8W（Ta）2.2W（Ta）3W（Tc）3.3W（Tc）8W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）9W（Tc）10.42W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223-4PowerPAK® SO-8SOT-223SOT-223-4SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
162,144
现货
2,532,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
61,673
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.35917
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
12A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
29,148
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
400mA（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
FDT86102LZ
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
onsemi
6,533
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥7.83226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 6.6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
632,360
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
15,612
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.90001
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Tc）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
FDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
onsemi
8,843
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.37027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
5V，10V
160 毫欧 @ 2.8A，10V
2.8V @ 250µA
3.77 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 50 V
-
10.42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPak SO-8L
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,202
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.00487
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
74A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 20 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SUD50P08-25L-BE3
MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Vishay Siliconix
4,088
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
12.5A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
SQ2362ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
2,521
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,493
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tc）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 7.9A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 10 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
BSP318SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Infineon Technologies
904
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.07794
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.6A（Tj）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 2.6A，10V
2V @ 20µA
20 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。