单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™TrenchMOS™U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）8.8A（Ta）10A（Ta）14A（Ta），44A（Tc）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V1.8V，8V3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 18A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V15 毫欧 @ 8.8A，10V16.2 毫欧 @ 4A，8V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.1V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V700 pF @ 15 V1392 pF @ 15 V1400 pF @ 6 V2310 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.25W（Ta）1.9W（Ta），12.5W（Tc）2.7W（Ta）3W（Ta），53W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（5x6）DFN2020M-6SOT-323
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,329
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
632,260
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
1,976
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09803
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10A（Ta）
1.8V，8V
16.2 毫欧 @ 4A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD17577Q5AT
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
2,759
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
250 : ¥5.26184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 18A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
3W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 8.8A，10V
2V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1392 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。