单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Tc）1.2A（Ta）1.7A（Ta）1.8A（Ta）1.8A（Tc）1.9A（Ta）2.1A（Ta）2.6A（Tj）2.9A（Ta）3A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 15A，4.5V90 毫欧 @ 2.6A，10V130 毫欧 @ 2.9A，10V230 毫欧 @ 1.8A，10V250 毫欧 @ 1A，10V300 毫欧 @ 1.9A，10V390 毫欧 @ 900mA，10V500 毫欧 @ 1.1A，10V600 毫欧 @ 1.2A，10V4.5 欧姆 @ 1.5A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 100µA1.8V @ 218µA2V @ 20µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V12 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V33 nC @ 10 V42 nC @ 10 V84 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V152.7 pF @ 25 V219 pF @ 30 V270 pF @ 25 V329 pF @ 25 V380 pF @ 25 V410 pF @ 25 V551 pF @ 30 V875 pF @ 25 V1350 pF @ 25 V5760 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）1.8W（Ta）1.8W（Ta），14W（Tc）2W（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223-4PowerPAK® SO-8SOT-223SOT-223-3TO-236ABTO-263AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,721
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
68,002
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP296NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Infineon Technologies
8,896
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.52353
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 1.2A，10V
1.8V @ 100µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
152.7 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
DMP6250SE-13
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
5,787
现货
40,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.14854
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Infineon Technologies
12,084
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.03952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
230 毫欧 @ 1.8A，10V
1.8V @ 218µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
329 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP170PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Infineon Technologies
13,023
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.17219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.9A（Ta）
10V
300 毫欧 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP613PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Infineon Technologies
9,312
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.40415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.9A（Ta）
10V
130 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 1mA
33 nC @ 10 V
±20V
875 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK SO-8
SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,070
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
40A（Tc）
1.8V，4.5V
2.5 毫欧 @ 15A，4.5V
1V @ 250µA
84 nC @ 4.5 V
±8V
5760 pF @ 6 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-223-3
ZXMP6A13GTA
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Diodes Incorporated
1,897
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.50120
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
390 毫欧 @ 900mA，10V
1V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP318SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Infineon Technologies
914
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.07794
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.6A（Tj）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 2.6A，10V
2V @ 20µA
20 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-263AB
IXTA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥66.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
3A（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。