单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A(Tc)25A(Tc)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V5V,10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 5A,10V72 毫欧 @ 10A,10V110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.1V @ 1mA4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 5 V56 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±10V±15V+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
664 pF @ 25 V1154 pF @ 800 V1704 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
37W(Tc)99W(Tc)179W(Tc)
供应商器件封装
D2PAKD2PAK-7LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
SC-100,SOT-669TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y29-40E,115
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,218
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.29239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
25A(Tc)
5V
25 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±10V
664 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2PAK SOT404
BUK9675-100A,118
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Nexperia USA Inc.
14,119
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
800 : ¥6.58478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
5V,10V
72 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 1mA
-
±15V
1704 pF @ 25 V
-
99W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK-7
NVBG080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
onsemi
626
现货
82,400
工厂
1 : ¥121.51000
剪切带(CT)
800 : ¥71.59770
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
20V
110 毫欧 @ 20A,20V
4.3V @ 5mA
56 nC @ 20 V
+25V,-15V
1154 pF @ 800 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。