单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）250mA（Ta）350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.2V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V25 pF @ 10 V36 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）350mW（Ta），3.1W（Tc）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN1006B-3EMT3F（SOT-416FL）VESM
封装/外壳
3-XFDFNSC-89，SOT-490SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,344,591
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
186,091
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.20069
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
3-XQFN
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
36,888
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。