单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A(Ta)1.9A(Tc)2.7A(Ta)4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 3.5A,10V110 毫欧 @ 4.5A,10V111 毫欧 @ 2.9A,10V250 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA(最小)3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 10 V18.1 nC @ 10 V19.4 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 20 V942 pF @ 30 V1030 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
280mW(Tj)600mW(Ta)1.5W(Ta)
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOICTO-236AB
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
256,355
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.9A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP
NTGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
33,009
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.35880
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.8A(Ta)
4.5V,10V
111 毫欧 @ 2.9A,10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
SI4848DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
3,569
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.7A(Ta)
6V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V
2V @ 250µA(最小)
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
43,189
现货
2,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49527
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。