单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）2.3A（Ta）3.6A（Ta）21A（Tc）27A（Ta），80A（Tc）28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 27A，10V19 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V65 毫欧 @ 5.7A，10V82 毫欧 @ 3A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V25 nC @ 10 V80 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V470 pF @ 20 V600 pF @ 20 V4700 pF @ 40 V5795 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）750mW（Ta）1.5W（Ta）2.3W（Ta），54W（Tc）3.9W（Ta），15.6W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）
供应商器件封装
Power33PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
376,050
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
91,430
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.69276
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Power33
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
onsemi
5,536
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.61610
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 27A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5795 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,993
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23(TO-236)
SI2319DS-T1-BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
6,970
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12333
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.48136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 20 V
-
3.9W（Ta），15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。