单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）90A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 25A，10V3.8 毫欧 @ 90A，10V4.2 毫欧 @ 80A，10V4.8 毫欧 @ 25A，10V6.9 毫欧 @ 90A，10V200 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA2.5V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 40µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V56 nC @ 10 V73.1 nC @ 10 V88 nC @ 10 V95.4 nC @ 10 V98 nC @ 10 V128 nC @ 10 V228 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 10 V4556 pF @ 30 V4840 pF @ 40 V5520 pF @ 25 V8000 pF @ 30 V10400 pF @ 25 V14934 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.9W（Ta），180W（Tc）79W（Tc）150W（Tc）188W（Tc）227W（Tj）238W（Tc）401W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKLFPAK56，Power-SO8MPT3PG-TO252-3PG-TO252-3-11TO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-243AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-62_MPT3
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
116,405
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.09350
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
200 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 1mA
14 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MPT3
TO-243AA
TO-252-2
DMTH6004SK3-13
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Diodes Incorporated
1,470
现货
405,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.15130
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
3.9W（Ta），180W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,869
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,119
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.17170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
D2PAK SOT404
PSMN1R5-30BLEJ
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
9,588
现货
1 : ¥35.06000
剪切带（CT）
800 : ¥21.16704
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
120A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 25A，10V
2.15V @ 1mA
228 nC @ 10 V
±20V
14934 pF @ 15 V
-
401W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,412
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.63250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 90µA
98 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 30 V
-
188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
51,907
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.71414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
6.9 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 40µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
8,114
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.22154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。