单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
HEXFET®MDmesh™ M2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Tc）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.7 毫欧 @ 31A，10V1.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
155 pF @ 100 V1077 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
22W（Tc）65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerFlat™（3.3x3.3）TO-220AB
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,559
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.24285
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
2.3A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±25V
155 pF @ 100 V
-
22W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
TO-220AB PKG
IRLB8721PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Infineon Technologies
14,441
现货
1 : ¥8.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
62A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 31A，10V
2.35V @ 25µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1077 pF @ 15 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。