单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 3PowerTrench®StrongIRFET™2TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)10A(Ta)20A(Ta),120A(Tc)21.5A(Ta),50A(Tc)43A(Tc)80A(Tc)90A(Ta)90A(Tc)95A(Tc)100A(Tc)110A(Tc)120A(Ta)194A(Ta)278A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 60A,6V2.4 毫欧 @ 90A,10V2.6 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 15A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.3 毫欧 @ 45A,10V3.5 毫欧 @ 100A,10V3.6 毫欧 @ 90A,10V3.85 毫欧 @ 60A,10V4 毫欧 @ 40A,10V4.1 毫欧 @ 21.5A,10V4.5 毫欧 @ 50A,10V4.6 毫欧 @ 25A,10V5.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 1mA2V @ 45µA2.1V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA3V @ 250µA3V @ 500µA3.3V @ 52µA3.9V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
42.3 nC @ 10 V47.1 nC @ 10 V49.1 nC @ 10 V55 nC @ 10 V64 nC @ 10 V68 nC @ 10 V78 nC @ 10 V80 nC @ 10 V81 nC @ 10 V83 nC @ 10 V84 nC @ 10 V90 nC @ 10 V92 nC @ 10 V103 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V2683 pF @ 12 V2711 pF @ 15 V2962 pF @ 30 V3000 pF @ 30 V3062 pF @ 20 V4300 pF @ 25 V4450 pF @ 25 V4610 pF @ 25 V5400 pF @ 10 V5485 pF @ 25 V5500 pF @ 10 V5940 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)2.1W(Ta),100W(Tc)2.5W(Ta)3W(Ta),107W(Tc)3.1W(Ta),127W(Tc)3.9W(Ta),180W(Tc)50W(Tc)94W(Tc)110W(Tc)140W(Tc)148W(Tc)150W(Tc)157W(Tc)180W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SODPAKDPAK+LFPAK56,Power-SO8PG-TO252-3PG-TO252-3-11PowerPAK® SO-8SOT-23-3(TO-236)TO-220-3TO-220ABTO-252-3TO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Infineon Technologies
47,560
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.28676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5.6A,10V
1V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Infineon Technologies
16,573
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.96524
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 90A,10V
3.9V @ 100µA
134 nC @ 10 V
±20V
4610 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STMicroelectronics
49,698
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.10963
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
5V,10V
4 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT 23-3
BVSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
59,060
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53909
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
5V
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252 D-Pak Top
DMN6017SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Diodes Incorporated
1,501
现货
12,500
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.72084
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2711 pF @ 15 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMTH4005SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Diodes Incorporated
6,937
现货
232,500
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.78831
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
95A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
49.1 nC @ 10 V
±20V
3062 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Infineon Technologies
40,450
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.03908
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 90A,10V
2V @ 45µA
78 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 20 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,430
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.27318
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A(Ta),120A(Tc)
6V,10V
3.85 毫欧 @ 60A,10V
3.3V @ 52µA
68 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 30 V
-
3W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
6,060
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
278A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
5485 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-3
CSD18511KCS
MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Texas Instruments
800
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
194A(Ta)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 100A,10V
2.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5940 pF @ 20 V
-
188W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
4,866
现货
1 : ¥21.51000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.57504
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Ta)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 60A,6V
3V @ 500µA
103 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 10 V
-
180W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMTH6005LK3-13
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Diodes Incorporated
23,859
现货
30,000
工厂
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.72396
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 250µA
47.1 nC @ 10 V
±20V
2962 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
9,627
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.08990
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Ta)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 45A,10V
2.5V @ 500µA
81 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 10 V
-
157W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Infineon Technologies
2,794
现货
1 : ¥17.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.03488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD86540
MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
onsemi
16,830
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.86637
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
21.5A(Ta),50A(Tc)
8V,10V
4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
6340 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),127W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y8R8-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Nexperia USA Inc.
2,838
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.18332
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 1mA
123 nC @ 10 V
±10V
6695 pF @ 25 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220AB
PSMN4R5-40PS,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
8,986
现货
1 : ¥16.67000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
42.3 nC @ 10 V
±20V
2683 pF @ 12 V
-
148W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252-2
DMTH4004LK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Diodes Incorporated
0
现货
12,500
工厂
查看交期
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.61236
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
4450 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),180W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 18

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。