单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ CECoolMOS™ P7OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
100 V200 V500 V600 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A(Tc)5.7A(Tc)10.3A(Tc)11A(Tc)14A(Tc)18A(Tc)20A(Tc)20.2A(Tc)77.5A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 100A,10V41 毫欧 @ 44.4A,10V100 毫欧 @ 11A,10V190 毫欧 @ 9.5A,10V270 毫欧 @ 10A,10V400 毫欧 @ 3.8A,10V450 毫欧 @ 7.1A,10V450 毫欧 @ 7.2A,10V950 毫欧 @ 3.6A,10V2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 150µA3.5V @ 2.96mA3.5V @ 300µA3.5V @ 360µA3.5V @ 630µA3.9V @ 120µA3.9V @ 250µA3.9V @ 680µA4.9V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V29 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V35 nC @ 10 V63 nC @ 10 V76 nC @ 10 V85 nC @ 10 V117 nC @ 10 V290 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
290 pF @ 100 V700 pF @ 100 V785 pF @ 100 V1053 pF @ 400 V1200 pF @ 50 V1400 pF @ 100 V1600 pF @ 100 V2942 pF @ 25 V6530 pF @ 10 V8410 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
30W(Tc)31W(Tc)34W(Tc)42W(Tc)83W(Tc)100W(Tc)151W(Tc)156W(Tc)214W(Tc)250W(Tc)481W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3-1PG-TO252-3PG-TO263-3TO-220ABTO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
4,579
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.56044
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.7A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 3.6A,10V
3.9V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
9,508
现货
1 : ¥23.97000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±30V
2942 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Infineon Technologies
10,597
现货
1 : ¥26.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.79206
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
17,001
现货
1 : ¥10.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 11A,10V
4.9V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 50 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA95R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO220
Infineon Technologies
488
现货
1 : ¥23.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
14A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
SPP11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Infineon Technologies
2,683
现货
1 : ¥23.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
11A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 7.1A,10V
3.9V @ 680µA
85 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO252-3
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Infineon Technologies
4,860
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.53813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.9A(Tc)
10V
2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 120µA
12 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 100 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
483
现货
1 : ¥18.72000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Infineon Technologies
2,519
现货
1 : ¥24.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO247-3
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Infineon Technologies
25
现货
1 : ¥121.83000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 44.4A,10V
3.5V @ 2.96mA
290 nC @ 10 V
±20V
6530 pF @ 10 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO-220-FP
IPA60R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
50 : ¥9.72040
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10.3A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 3.8A,10V
3.5V @ 300µA
32 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 100 V
-
31W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
/ 11

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。