单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）4.1A（Ta）18.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 4.1A，10V60 毫欧 @ 10A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V209 pF @ 15 V1710 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）510mW（Ta），5W（Tc）2.3W（Ta），38.5W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
174,114
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,368
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93655
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.1A，10V
2V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Vishay Siliconix
63,440
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.48917
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.3A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 25 V
-
2.3W（Ta），38.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。