单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 2.5A，10V165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-6TO-220
封装/外壳
SOT-23-6TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-6
ZXMN3A01E6TA
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Diodes Incorporated
138,507
现货
171,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
TO-220-3
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectronics
839
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。