单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）6.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 3A，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V29.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V1400 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）556mW（Ta），12.5W（Tc）
供应商器件封装
6-WLCSP（1.48x0.98）SOT-323
封装/外壳
6-XFBGA，WLCSPSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
521,937
现货
8,823,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PMCM6501VPEZ
PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
Nexperia USA Inc.
4,435
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
4,500 : ¥1.78421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6.2A（Ta）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 3A，4.5V
900mV @ 250µA
29.4 nC @ 4.5 V
±8V
1400 pF @ 6 V
-
556mW（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WLCSP（1.48x0.98）
6-XFBGA，WLCSP
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。