单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedEPCNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）55A（Tc）64A（Ta）286A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 30A，5V15 毫欧 @ 10A，10V23.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 13mA3V @ 250µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 5 V29 nC @ 10 V67 nC @ 10 V232 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
802 pF @ 50 V3931 pF @ 50 V4004 pF @ 20 V17140 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）340W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
LFPAK88（SOT1235）PowerPAK® 1212-8TO-252（DPAK）模具
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SOT-1235TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
31,243
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.58397
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
23.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
17,624
现货
1 : ¥54.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
64A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V，-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
TO-252 D-Pak Top
DMPH4013SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Diodes Incorporated
5,221
现货
387,500
工厂
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.54069
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
55A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4004 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥46.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.60303
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
286A（Tc）
10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。