单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）170mA（Ta）2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
170 毫欧 @ 2A，4.5V6 欧姆 @ 100mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2V @ 250µA2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2 nC @ 10 V6.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V36 pF @ 5 V418 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）480mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
270,963
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BVSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
114,421
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
2.2 nC @ 10 V
±20V
36 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH205G2VL
MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,800
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.64473
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.5V，4.5V
170 毫欧 @ 2A，4.5V
950mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
418 pF @ 10 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。