单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

AO3400A MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	722,950 现货	1 : ¥3.61000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.80150 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.7A（Ta）	2.5V，10V	26.5 毫欧 @ 5.7A，10V	1.5V @ 250µA	7 nC @ 4.5 V	±12V	630 pF @ 15 V	-	1.4W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	3-SMD，SOT-23-3 变式
DMN3200U-7 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	69,370 现货 582,000 工厂	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.99221 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	2.2A（Ta）	1.5V，4.5V	90 毫欧 @ 2.2A，4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	290 pF @ 10 V	-	650mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SIA440DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix	37,154 现货	1 : ¥3.78000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.27197 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	12A（Tc）	2.5V，10V	26 毫欧 @ 9A，10V	1.4V @ 250µA	21.5 nC @ 10 V	±12V	700 pF @ 20 V	-	3.5W（Ta），19W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
IPT004N03LATMA1 MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Infineon Technologies	2,341 现货	1 : ¥40.56000 剪切带（CT） 2,000 : ¥19.76191 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	300A（Tc）	4.5V，10V	0.4 毫欧 @ 150A，10V	2.2V @ 250µA	163 nC @ 4.5 V	±20V	24000 pF @ 15 V	-	3.8W（Ta），300W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
FDMT80040DC MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN onsemi	2,268 现货	1 : ¥63.63000 剪切带（CT） 3,000 : ¥33.80896 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	420A（Tc）	6V，10V	0.56 毫欧 @ 64A，10V	4V @ 250µA	338 nC @ 10 V	±20V	26110 pF @ 20 V	-	156W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-Dual Cool™88	8-PowerVDFN
RTF016N05TL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	29,439 现货	1 : ¥4.02000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.09004 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	45 V	1.6A（Ta）	2.5V，4.5V	190 毫欧 @ 1.6A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	320mW（Ta）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TUMT3	3-SMD，扁平引线
SIRA80DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	15,269 现货	1 : ¥12.56000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.65749 卷带（TR）	TrenchFET® Gen IV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	100A（Tc）	4.5V，10V	0.62 毫欧 @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	188 nC @ 10 V	+20V，-16V	9530 pF @ 15 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
TPWR6003PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	14,806 现货	1 : ¥23.48000 剪切带（CT） 5,000 : ¥11.28848 卷带（TR）	U-MOSIX-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	150A（Tc）	4.5V，10V	0.6 毫欧 @ 50A，10V	2.1V @ 1mA	110 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 15 V	-	960mW（Ta），170W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	8-DSOP Advance	8-PowerVDFN
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 Nexperia USA Inc.	5,478 现货	1 : ¥55.42000 剪切带（CT） 2,000 : ¥29.69589 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	500A（Tc）	10V	0.55 毫欧 @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	267 nC @ 10 V	±20V	21162 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK88（SOT1235）	SOT-1235
CSD25483F4 MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Texas Instruments	14,328 现货	1 : ¥3.37000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.60971 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	1.6A（Ta）	1.8V，4.5V	205 毫欧 @ 500mA，8V	1.2V @ 250µA	0.959 nC @ 4.5 V	-12V	198 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SIRA20DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK Vishay Siliconix	14,040 现货	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.14990 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	81.7A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	0.58 毫欧 @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	200 nC @ 10 V	+16V，-12V	10850 pF @ 10 V	-	6.25W（Ta），104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8