单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA(Ta)6A(Ta)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 3A,10V2.8 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V7.7 nC @ 5 V33.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23.2 pF @ 25 V798 pF @ 25 V1640 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)1.52W(Ta)44W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOLFPAK33SOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,802
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31827
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SO
DMP4025LSS-13
MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
Diodes Incorporated
7,299
现货
22,500
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 20 V
-
1.52W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
LFPAK33
BUK9M24-40EX
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,401
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.23515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
5V
20 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
7.7 nC @ 5 V
±10V
798 pF @ 25 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。