单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Good-Ark SemiconductorRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4V10V，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V30 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）430mW
工作温度
-55°C ~ 175°C150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3SOT-23
封装/外壳
SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2SA2018TL
RUE003N02TL
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Rohm Semiconductor
81,143
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，4V
1 欧姆 @ 300mA，4V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3
SC-75，SOT-416
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
72,773
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19452
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
10V，5V
-
2.5V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。