单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）7.9A（Ta），50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 7.9A，10V235 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
717 pF @ 50 V4085 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.15W（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）TO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
onsemi
13,622
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.84627
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.9A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
22 毫欧 @ 7.9A，10V
4V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
4085 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-252-2
ZXMP10A16KTC
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
Diodes Incorporated
5,313
现货
175,000
工厂
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.13982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3A（Ta）
6V，10V
235 毫欧 @ 2.1A，10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
717 pF @ 50 V
-
2.15W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。