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FET、MOSFET 阵列
结果 : 4
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 212,469 现货 | 1 : ¥2.63000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.55813 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 | 20V | 250mA（Ta） | 2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V | 1V @ 1mA | - | 12pF @ 10V | 300mW | 150°C | 表面贴装型 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | US6 | |
 | 71,830 现货 | 1 : ¥3.37000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.74167 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不适用于新设计 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 860mA | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.72nC @ 4.5V | 34pF @ 20V | 410mW | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6-TSSOP | ||
 | 19,711 现货 | 1 : ¥8.21000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.39554 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平门 | 40V | 8A | 27 毫欧 @ 8A，10V | 2.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2000pF @ 20V | 3.2W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | ||
 | 4,494 现货 | 1 : ¥3.28000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.11298 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | - | 20V | 660mA（Ta） | 520 毫欧 @ 1A，4.5V | 1.1V @ 250µA | - | 170pF @ 16V | 150mW | -40°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SOT-363 |
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