单双极晶体管

结果 : 3
制造商
onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
300 mA600 mA6 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V40 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
100mV @ 3mA,30mA350mV @ 600mA,6A750mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 150mA,2V120 @ 1A,2V820 @ 4ma,2V
功率 - 最大值
200 mW300 mW800 mW
频率 - 跃迁
35MHz100MHz200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SMT3SOT-223(TO-261)SOT-23-3(TO-236)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
MMBT4403LT1G
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
onsemi
56,893
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
600 mA
40 V
750mV @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,2V
300 mW
200MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
SMT3
2SD2704KT146
TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Rohm Semiconductor
45,210
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47995
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
300 mA
20 V
100mV @ 3mA,30mA
100nA(ICBO)
820 @ 4ma,2V
200 mW
35MHz
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SMT3
SOT-223 (TO-261)
NSS60600MZ4T1G
TRANS PNP 60V 6A SOT223
onsemi
10,268
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.86617
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
6 A
60 V
350mV @ 600mA,6A
100nA(ICBO)
120 @ 1A,2V
800 mW
100MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223(TO-261)
显示
/ 3

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。