单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA(Ta)310mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+12V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23.2 pF @ 25 V34 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta)420mW(Ta),4.2W(Tc)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN1110D-3SOT-323
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
24,390
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38262
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
34 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
3-XFDFN Exposed Pad
BSS84AKQBZ
BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
8,623
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.59386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
270mA(Ta)
4.5V,10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
+12V,-20V
23.2 pF @ 25 V
-
420mW(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
DFN1110D-3
3-XDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。