单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 7A，4.5V72.4 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
645 pF @ 50 V2760 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
730mW（Ta）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
25,329
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.19229
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
72.4 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
14 nC @ 10 V
±20V
645 pF @ 50 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
U-DFN2020-6 Type F
DMP2021UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Diodes Incorporated
54,206
现货
246,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00423
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.5V，4.5V
16 毫欧 @ 7A，4.5V
1V @ 250µA
59 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 15 V
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。