单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDRohm SemiconductorVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 900mA，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.6V @ 250µA4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V27 pF @ 25 V180 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223SOT-23SST3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
561,115
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Vishay Siliconix
3,654
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.43522
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,789
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。