单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40.2A(Ta),263A(Tc)180A(Tc)286A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 23A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V2.4 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 183µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
138 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V232 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10200 pF @ 50 V14950 pF @ 15 V17140 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
3.3W(Ta),138.9W(Tc)250W(Tc)340W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)LFPAK88(SOT1235)PG-TO263-7
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线SOT-1235TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
5,793
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.09411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.2A(Ta),263A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),138.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
D2PAK-7pin
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
463
现货
1 : ¥37.27000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.40104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 90A,10V
3.8V @ 183µA
138 nC @ 10 V
±20V
10200 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R9-80SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥46.47000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.60222
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
286A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
232 nC @ 10 V
±20V
17140 pF @ 40 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。