单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIHEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A(Ta)5A(Ta),32A(Tc)8A(Ta),35A(Tc)25A(Tc)30A(Tc)31A(Tc)32A(Tc)33A(Tc)34A(Ta)35A(Tc)40A(Tc)42A(Tc)43A(Tc)48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.7 毫欧 @ 27.5A,10V11.1 毫欧 @ 70A,10V12.2 毫欧 @ 46A,10V13.9 毫欧 @ 38A,10V18 毫欧 @ 33A,10V22.5 毫欧 @ 8A,10V24 毫欧 @ 35A,10V25 毫欧 @ 40A,10V26 毫欧 @ 12A,10V27 毫欧 @ 25A,10V31 毫欧 @ 30A,10V32 毫欧 @ 7.3A,10V35 毫欧 @ 12.5A,10V37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.4V @ 29µA2.4V @ 39µA2.5V @ 500µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 33µA3.5V @ 46µA4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 83µA4.4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26 nC @ 10 V31 nC @ 10 V35 nC @ 10 V37 nC @ 10 V39 nC @ 10 V40 nC @ 10 V44 nC @ 10 V47 nC @ 10 V56 nC @ 10 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660 pF @ 10 V920 pF @ 50 V1200 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V1540 pF @ 50 V1690 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V1960 pF @ 25 V1976 pF @ 25 V2000 pF @ 12 V2000 pF @ 50 V2400 pF @ 25 V2490 pF @ 50 V2500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta)2.5W(Ta),100W(Tc)3W(Ta),110W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.1W(Ta),54W(Tc)3.8W(Ta),110W(Tc)3.8W(Ta),83W(Tc)8.3W(Ta),83W(Tc)40W(Tc)57W(Tc)71W(Tc)93W(Tc)94W(Tc)100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)150°C175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDPAKPG-TO252-3PG-TO252-3-11SOT-23FTO-220ABTO-252(DPAK)TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
115,989
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88140
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Ta)
4V,10V
134 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V,-20V
660 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
138,456
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRFR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Infineon Technologies
16,055
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.23253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
3W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
11,748
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
800 : ¥6.64328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
13,030
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.98860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252AA
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
onsemi
17,695
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.72033
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
22.5 毫欧 @ 8A,10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3710ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
11,712
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.90010
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 33A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
2930 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6414ANT4G
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
onsemi
5,571
现货
12,500
工厂
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18021
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
32A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 32A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4510TRPBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Infineon Technologies
30,196
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.79669
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
10V
13.9 毫欧 @ 38A,10V
4V @ 100µA
81 nC @ 10 V
±20V
3031 pF @ 50 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Infineon Technologies
10,076
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.85897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
70A(Tc)
10V
11.1 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 83µA
65 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
98,221
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.07868
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5A(Ta),32A(Tc)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 10A,10V
2.7V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK+
TK7R7P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
16,593
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.38254
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
55A(Tc)
4.5V,10V
7.7 毫欧 @ 27.5A,10V
2.5V @ 500µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 50 V
-
93W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
6,261
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.03164
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 50 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Infineon Technologies
3,505
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.08822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
43A(Tc)
6V,10V
18 毫欧 @ 33A,10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Infineon Technologies
35,503
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.68356
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 30A,10V
2.4V @ 29µA
31 nC @ 10 V
±20V
1976 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Infineon Technologies
43,868
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.49738
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
59A(Tc)
6V,10V
12.2 毫欧 @ 46A,10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD40N10-25-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Vishay Siliconix
3,132
现货
1 : ¥24.63000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.98016
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Vishay Siliconix
1,990
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.74181
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
35A(Tc)
7V,10V
26 毫欧 @ 12A,10V
4.4V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 12 V
-
8.3W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD3670
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
onsemi
2,432
现货
1 : ¥21.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.64087
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
34A(Ta)
6V,10V
32 毫欧 @ 7.3A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2490 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK SOT428
BUK7227-100B,118
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Nexperia USA Inc.
6,209
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
48A(Tc)
10V
27 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
37 nC @ 10 V
±20V
2789 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 185°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46001
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
35A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 35A,10V
2.4V @ 39µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 21

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。