单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）4.1A（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，4.5V42 毫欧 @ 4.1A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3 nC @ 10 V300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
209 pF @ 15 V336 pF @ 25 V8840 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
510mW（Ta），5W（Tc）1.08W（Ta）4.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SSOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,268
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93655
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.1A，10V
2V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
17,185
现货
1,917,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
336 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
16,640
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50A（Tc）
1.8V，4.5V
4.5 毫欧 @ 20A，4.5V
900mV @ 250µA
300 nC @ 10 V
±8V
8840 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。