单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™SIPMOS®STripFET™ IITrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V68 V75 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
175mA(Tj)200mA(Ta)320mA(Ta)450mA(Ta)530mA(Tj)9.2A(Ta),53A(Tc)30A(Tc)50A(Tc)55A(Tc)62A(Tc)70A(Tc)73A(Tc)74A(Tc)75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2V,5V4.5V4.5V,10V5V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.7 毫欧 @ 25A,10V4.2 毫欧 @ 100A,10V8.5 毫欧 @ 51A,10V8.7 毫欧 @ 31A,10V9.8 毫欧 @ 40A,10V13 毫欧 @ 20A,4.5V14 毫欧 @ 70A,10V16 毫欧 @ 25A,10V16 毫欧 @ 30A,10V18 毫欧 @ 27.5A,10V19.5 毫欧 @ 30A,10V20 毫欧 @ 38A,10V23 毫欧 @ 64A,10V1.3 欧姆 @ 500mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA1.7V @ 250µA2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.35V @ 25µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 100µA4V @ 250µA4V @ 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V30 nC @ 5 V37 nC @ 4.5 V53 nC @ 10 V60 nC @ 10 V66 nC @ 10 V75 nC @ 10 V86 nC @ 10 V95.6 nC @ 5 V115 nC @ 10 V156 nC @ 20 V173 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V75 pF @ 25 V100 pF @ 18 V200 pF @ 20 V900 pF @ 10 V1077 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1810 pF @ 25 V2250 pF @ 25 V2550 pF @ 25 V2810 pF @ 25 V3026 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)700mW(Ta)740mW(Ta)1W(Tc)2W(Ta)3.1W(Ta),104.2W(Tc)30W(Tc)40W(Tc)65W(Tc)95W(Tc)110W(Tc)140W(Tc)150W(Tc)157W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1SOT-223-3TO-220TO-220-3TO-220ABTO-220FPTO-92TO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
43,088
现货
40,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
SOT-223-3
ZVP2106GTA
MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
Diodes Incorporated
32,116
现货
63,000
工厂
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.67474
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
450mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
39,017
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
74A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 38A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,098
现货
1 : ¥29.96000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-92
ZVNL110A
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,267
现货
20,000
工厂
1 : ¥6.16000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
320mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
1,613
现货
1 : ¥6.40000
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
175mA(Tj)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-220AB PKG
IRLB8721PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Infineon Technologies
14,417
现货
1 : ¥8.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
62A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 31A,10V
2.35V @ 25µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1077 pF @ 15 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0702N3-G
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Microchip Technology
2,237
现货
1 : ¥12.48000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Tj)
2V,5V
1.3 欧姆 @ 500mA,5V
1V @ 1mA
-
±20V
200 pF @ 20 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-220-3
STP55NF06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
STMicroelectronics
37,674
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 27.5A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
9,545
现货
1 : ¥13.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
75A(Tc)
10V
8.5 毫欧 @ 51A,10V
4V @ 100µA
86 nC @ 10 V
±20V
2810 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP55NF06L
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
STMicroelectronics
483
现货
1 : ¥14.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
10V,5V
18 毫欧 @ 27.5A,10V
1.7V @ 250µA
37 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP80NF70
MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
STMicroelectronics
576
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
68 V
98A(Tc)
10V
9.8 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
CSD18532KCS
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Texas Instruments
595
现货
1 : ¥17.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4680 pF @ 30 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
RFP70N06
MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
onsemi
1,228
现货
1 : ¥18.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
70A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
156 nC @ 20 V
±20V
2250 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Vishay Siliconix
3,292
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta),53A(Tc)
4.5V,10V
19.5 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),104.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220FP
STP60NF06FP
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
STMicroelectronics
996
现货
1 : ¥9.52000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
1810 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220AB
PHP79NQ08LT,127
MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB
Nexperia USA Inc.
5,694
现货
1 : ¥17.49000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
73A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
30 nC @ 5 V
±15V
3026 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PHP191NQ06LT,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Nexperia USA Inc.
2,202
现货
1 : ¥25.61000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
95.6 nC @ 5 V
±15V
7665 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
GT52N10T
G30N02T
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Goford Semiconductor
189
现货
1 : ¥5.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Tc)
4.5V
13 毫欧 @ 20A,4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±12V
900 pF @ 10 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。