单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IIIU-MOSIIIU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta），300mA（Tc）200mA（Ta）4A（Ta）10A（Ta），16A（Tc）12A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 15A，10V19 毫欧 @ 9A，10V26.5 毫欧 @ 5A，10V42.7 毫欧 @ 3A，4.5V2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V20 pF @ 10 V840 pF @ 10 V1020 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）1W（Ta）3.2W（Ta），24W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）15.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TA）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6 单SSMTO-236ABUF6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,368
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
53,901
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
157,793
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
172,207
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
3,895
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
42.7 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
PowerPAK 1212-8
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Vishay Siliconix
8,971
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta），16A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。