单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）51A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 50A，10V12.8 毫欧 @ 16A，10V70 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 90µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 10 V14 nC @ 6 V250 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 15 V1515 pF @ 50 V13000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），5.7W（Tc）63W（Tc）90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）ATPAKTO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNATPAK（2 引线 + 凸片）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
onsemi
13,406
现货
24,000
工厂
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.32173
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
51A（Tc）
6V，10V
12.8 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 90µA
14 nC @ 6 V
±20V
1515 pF @ 50 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
9,905
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79865
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.2A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.2A，10V
2.5V @ 250µA
3.3 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 15 V
-
630mW（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ATPAK
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥41.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥20.20292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 50A，10V
-
250 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 20 V
-
90W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。