单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™QFET®SuperMESH™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
250 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Tc）6.2A（Tc）8A（Tc）33A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
94 毫欧 @ 16.5A，10V650 毫欧 @ 5.1A，10V1.5 欧姆 @ 3.1A，10V2.5 欧姆 @ 2.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 470µA4.5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V46 nC @ 10 V48 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 100 V1310 pF @ 25 V1320 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
104W（Tc）140W（Tc）158W（Tc）235W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220TO-220-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
116
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
FQP6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
onsemi
794
现货
1 : ¥19.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.5A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 2.75A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
1310 pF @ 25 V
-
158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
STP8NK80Z
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
STMicroelectronics
1,010
现货
1 : ¥26.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
6.2A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
1320 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
SPP08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Infineon Technologies
1,934
现货
1 : ¥20.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
8A（Tc）
10V
650 毫欧 @ 5.1A，10V
3.9V @ 470µA
60 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。