单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta)5.8A(Ta)7.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V3V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 5.8A,10V45 毫欧 @ 5A,10V4.5 欧姆 @ 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 30 V386 pF @ 15 V970 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
325mW(Ta)720mW(Ta)4.2W(Tc)
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
5,498
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.77240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Tc)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-236AB
NX138AKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
37,994
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
2.5V,10V
4.5 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
325mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,116,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60066
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
3V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。