存储器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution IncMicrochip TechnologyMicron Technology Inc.
系列
-FL-S
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSDRAM - DDR3L
存储容量
2Kb256Mb16Gb
存储器组织
128 x 1632M x 832M x 8，16M x 161G x 16
存储器接口
MicrowireSPI - 四 I/O并联
时钟频率
2 MHz133 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns60ns6ms-
访问时间
20 ns75 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.5V ~ 5.5V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘64-LBGA96-LFBGASOT-23-6
供应商器件封装
8-WSON（6x8）64-LBGA（11x13）96-LWBGA（10x14）SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-6
93LC56BT-I/OT
IC EEPROM 2KBIT MIC WIRE SOT23-6
Microchip Technology
134,273
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
已验证
非易失
EEPROM
EEPROM
2Kb
128 x 16
Microwire
2 MHz
6ms
-
2.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
8-WSON
S25FL256SAGNFI001
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
Infineon Technologies
2,921
现货
1 : ¥44.83000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（6x8）
137
现货
1 : ¥338.41000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
16Gb
1G x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-LFBGA
96-LWBGA（10x14）
64-LFBGA
MT28EW256ABA1HPC-0SIT
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64LBGA
Micron Technology Inc.
2,060
现货
1 : ¥74.87000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8，16M x 16
并联
-
60ns
75 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
64-LBGA
64-LBGA（11x13）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。