存储器

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution IncMicrochip Technology
系列
-GL-S
包装
托盘管件
存储器类型
易失非易失
存储器格式
EEPROMSRAM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSRAM - 异步
存储容量
8Kb8Mb32Mb512Mb
存储器组织
1K x 8512K x 162M x 1632M x 16
存储器接口
I2C并联
写周期时间 - 字，页
10ns12ns60ns5ms
访问时间
10 ns12 ns100 ns4.5 µs
电压 - 供电
1.7V ~ 3.6V2.4V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 85°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）48-TFBGA64-LBGA
供应商器件封装
8-SOIC48-FBGA（8x9.5）48-迷你型BGA（9x11）64-FBGA（9x9）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
448
现货
1 : ¥132.83000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
8Mb
512K x 16
并联
-
10ns
10 ns
2.4V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFBGA
48-迷你型BGA（9x11）
48-TFBGA
CY7C1071DV33-12BAXI
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA
Infineon Technologies
57
现货
1 : ¥1,063.33000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
32Mb
2M x 16
并联
-
12ns
12 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
48-TFBGA
48-FBGA（8x9.5）
8-SOIC
AT24C08D-SSHM-B
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Microchip Technology
15,470
现货
1 : ¥2.22000
管件
-
管件
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
8Kb
1K x 8
I2C
1 MHz
5ms
4.5 µs
1.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
64-LBGA
S29GL512S10DHI010
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Infineon Technologies
5,491
现货
1 : ¥54.92000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
32M x 16
并联
-
60ns
100 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
64-LBGA
64-FBGA（9x9）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。