存储器

结果 : 4
制造商
Catalyst Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.
系列
-FL-S
包装
托盘散装管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROMSRAM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORSDRAM - DDRSRAM - 异步
存储容量
4Kb2Mb128Mb512Mb
存储器组织
512 x 8128K x 1616M x 832M x 16
存储器接口
I2CSPI - 四 I/O并联
时钟频率
400 kHz133 MHz200 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns55ns5ms-
访问时间
700 ps55 ns900 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 5.5V2.5V ~ 2.7V2.5V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
供应商器件封装
8-SOIC16-SOIC44-TSOP II66-TSOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2,512
现货
1 : ¥22.17000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
2Mb
128K x 16
并联
-
55ns
55 ns
2.5V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
66-TSOP
MT46V32M16P-5B IT:J
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
Micron Technology Inc.
944
现货
1 : ¥54.76000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb
32M x 16
并联
200 MHz
15ns
700 ps
2.5V ~ 2.7V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
66-TSOP
16-SOIC
S25FL128SAGMFI011
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Infineon Technologies
671
现货
1 : ¥37.93000
管件
管件
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOIC
8-SOIC
CAT24C04WI-G
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
Catalyst Semiconductor Inc.
111,625
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
4Kb
512 x 8
I2C
400 kHz
5ms
900 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。