单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）280mA（Ta）300mA（Ta）310mA（Ta）350mA（Ta）400mA（Ta）540mA（Ta）820mA（Ta）950mA（Ta）1A（Ta）2.2A（Ta）2.7A（Ta）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V1.8V，5V2.5V，10V2.5V，4V3.3V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 4A，10V60 毫欧 @ 3.1A，10V65 毫欧 @ 2A，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 50mA，5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.62 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V5.85 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28.5 pF @ 30 V33 pF @ 5 V43 pF @ 16 V48 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 15 V50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V60.67 pF @ 16 V150 pF @ 16 V278 pF @ 15 V289 pF @ 10 V464 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）260mW（Ta），830mW（Tc）275mW（Ta）290mW（Ta）310mW（Ta）330mW（Ta）395mW（Ta）400mW（Ta）440mW（Ta）460mW490mW（Ta）1.4W
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
292,169
现货
5,871,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
522,061
现货
8,874,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
65,768
现货
10,530,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
1.8V，5V
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
632,160
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
PMF63UNEX
MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323
Nexperia USA Inc.
368,825
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.2A（Ta）
1.8V，4.5V
65 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
5.85 nC @ 4.5 V
±8V
289 pF @ 10 V
-
395mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
49,281
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
16,935
现货
681,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50753
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.62 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
59,234
现货
69,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMG3402LQ-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
11,664
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94057
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,455
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.53037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
3.3V，10V
60 毫欧 @ 3.1A，10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN601WKQ-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Diodes Incorporated
8,976
现货
795,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61338
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS138WQ-7-F
BSS FAMILY SOT323 T&R 3K
Diodes Incorporated
6,262
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
280mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
48 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMG1012UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
2,680
现货
318,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
950mA（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±6V
43 pF @ 16 V
-
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。