单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Panjit International Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）5.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
137 毫欧 @ 5A，10V170 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 25 V430 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）8W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
90,676
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.33697
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
5.5A（Tc）
4.5V，10V
137 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 1mA
5.3 nC @ 5 V
±15V
320 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-261-4, TO-261AA
PJW3P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,996
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.69907
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。