单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）12A（Tc）12.5A（Ta）14A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 22A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V35 毫欧 @ 5.3A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V950 pF @ 15 V3501 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.5W（Ta）3.5W（Ta），19W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
386,629
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
51,475
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.10915
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12.5A（Ta）
2.5V，4.5V
6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
14,544
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.62427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 22A，10V
2V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R5-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
29,311
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.41875
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±20V
3501 pF @ 30 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PowerPak SC-70-6 Single
SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
55,308
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97605
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。