单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）1.2A（Ta）5.3A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21毫欧 @ 6A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V320 毫欧 @ 1.2A，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V10.8 nC @ 10 V19.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 10 V50 pF @ 25 V435 pF @ 15 V793 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），5.43W（Tc）370mW（Ta）480mW（Ta），1.2W（Tc）510mW（Ta），6.94W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-883TO-236AB
封装/外壳
SC-101，SOT-883TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
68,295
现货
58,617,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
166,335
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-101 SOT-883
PMZ290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
118,615
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.29145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.2A（Ta）
1.5V，4.5V
320 毫欧 @ 1.2A，4.5V
950mV @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），5.43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
TO-236AB
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,992
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
480mW（Ta），1.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。