单 FET,MOSFET

结果 : 25
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™-5PowerTrench®STripFET™ F7StrongIRFET™ 2StrongIRFET™2TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V120 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A(Ta)1.2A(Ta),1.6A(Tc)7.7A(Ta), 31A(Tc)10.5A(Ta)14A(Ta),82A(Tc)23A(Ta), 198A(Tc)33A(Ta),176A(Tc)37A(Ta),331A(Tc)43A(Ta),201A(Tc)50A(Tc)56A(Ta)80A(Tc)88A(Tc)110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 150A,10V1.65 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.8 毫欧 @ 80A,10V1.83 毫欧 @ 100A,10V1.95 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V2.5 毫欧 @ 100A,10V2.55 毫欧 @ 50A, 10V2.7 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 13µA3.4V @ 249µA3.5V @ 270µA3.8V @ 108µA3.8V @ 115µA3.8V @ 154µA3.8V @ 184µA3.8V @ 194µA3.8V @ 208µA3.8V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.1 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V38 nC @ 10 V49 nC @ 10 V53 nC @ 10 V66 nC @ 10 V87 nC @ 10 V88 nC @ 10 V96 nC @ 10 V110 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
130 pF @ 40 V210 pF @ 30 V690 pF @ 50 V840 pF @ 50 V2700 pF @ 50 V3220 pF @ 60 V3770 pF @ 40 V4600 pF @ 40 V4950 pF @ 25 V6240 pF @ 40 V6500 pF @ 50 V6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
400mW(Ta),6.25W(Tc)1W(Ta),1.7W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),113W(Tc)3W(Ta), 217W(Tc)3W(Ta), 48W(Tc)3W(Ta),100W(Tc)3.8W(Ta),375W(Tc)107W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)167W(Tc)188W(Tc)214W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SODFN1010D-3H2PAK-2PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8 FLPG-TO263-3PG-TO263-7PG-WSON-8-2SOT-23-3(TO-236)TO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
25结果

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/ 25
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7240TRPBF
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Infineon Technologies
8,740
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.90297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10.5A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10.5A,10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
9250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Infineon Technologies
5,149
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.84895
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
56A(Ta)
10V
14.4 毫欧 @ 56A,10V
4V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,120
现货
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
4,000 : ¥9.86771
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Ta),82A(Tc)
6V,10V
7 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,202
现货
1 : ¥39.73000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.55612
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 184µA
139 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
4,896
现货
1 : ¥59.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥33.83402
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
527
现货
1 : ¥62.88000
剪切带(CT)
1,000 : ¥35.67870
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
11,322
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.76631
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
1.1A(Ta)
4.5V,10V
450 毫欧 @ 1.1A,10V
2.7V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 40 V
-
400mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
SOT-23(TO-236)
SI2309CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
10,158
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta),1.6A(Tc)
4.5V,10V
345 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8,124
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
4,000 : ¥11.72622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
144A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 76µA
66 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 40 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
5,315
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.00034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 208µA
166 nC @ 10 V
±20V
12100 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SUD50P06-15-BE3
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Vishay Siliconix
3,326
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
5,378
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.17741
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
3.1 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 108µA
87 nC @ 10 V
±20V
6240 pF @ 40 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB025N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
14,144
现货
1 : ¥45.48000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.51417
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 270µA
206 nC @ 10 V
±20V
14200 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MJD32CTF-ON
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Infineon Technologies
1,859
现货
1 : ¥19.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.84386
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
80A(Tc)
6V,10V
4.9 毫欧 @ 80A,10V
3.8V @ 66µA
53 nC @ 10 V
±20V
3770 pF @ 40 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TOLLLEADLESS
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Infineon Technologies
2,199
现货
1 : ¥50.98000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.80348
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
37A(Ta),331A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 280µA
200 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
10,000
现货
5,000 : ¥3.43422
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.7A(Ta), 31A(Tc)
8V,10V
23 毫欧 @ 10A,10V
3.3V @ 13µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 50 V
-
3W(Ta), 48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
IPB019N08NF2SATMA1
IPB019N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
257
现货
1 : ¥25.78000
剪切带(CT)
800 : ¥15.57231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
166A(Tc)
6V,10V
1.95 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 194µA
186 nC @ 10 V
±20V
8700 pF @ 40 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
H2PAK
STH170N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,264
现货
1 : ¥26.02000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.76390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 60A,10V
4.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
8710 pF @ 40 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
990
现货
1 : ¥32.59000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.22248
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 154µA
123 nC @ 10 V
±20V
8970 pF @ 40 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IPB019N08NF2SATMA1
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
920
现货
1 : ¥34.40000
剪切带(CT)
800 : ¥20.77540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
170A(Tc)
6V,10V
1.65 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
283
现货
1 : ¥56.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.22487
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Ta),176A(Tc)
6V,10V
1.83 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 270µA
210 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
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PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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MOSFET(金属氧化物)
40 V
43A(Ta),201A(Tc)
6V,10V
1.15 毫欧 @ 100A,10V
3.4V @ 249µA
315 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB86360-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
onsemi
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80 V
110A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 80A,10V
4.5V @ 250µA
253 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
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TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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188W(Tc)
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PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
0
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MOSFET(金属氧化物)
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10V
2.55 毫欧 @ 50A, 10V
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3W(Ta), 217W(Tc)
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PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。