单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Qorvo
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
25 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）380A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.57 毫欧 @ 25A，10V35 毫欧 @ 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 2mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 15 V113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V6990 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
333W（Tc）441W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56; Power-SO8TO-220-3
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAKTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PSMNxRx-xxYx,115
PSMNR51-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,326
现货
1 : ¥25.70000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.29534
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
380A（Tc）
4.5V，10V
0.57 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
113 nC @ 10 V
±20V
6990 pF @ 12 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023，4-LFPAK
TO-220-3L
UJ3C065030T3S
MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Qorvo
239
现货
1 : ¥170.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
85A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。