单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
MDmesh™ DK5MDmesh™ II PlusMDmesh™ K5MDmesh™ M2
漏源电压（Vdss）
600 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）34A（Tc）38A（Tc）52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 26A，10V88 毫欧 @ 17A，10V125 毫欧 @ 13A，10V130 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45.5 nC @ 10 V57 nC @ 10 V91 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1781 pF @ 100 V2500 pF @ 100 V3300 pF @ 100 V3480 pF @ 100 V3750 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
190W（Tc）250W（Tc）350W（Tc）450W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-247TO-247-3
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW40N95K5
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
STMicroelectronics
1,332
现货
1 : ¥135.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
38A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 100µA
93 nC @ 10 V
±30V
3300 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
STMicroelectronics
690
现货
1 : ¥40.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
26A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
45.5 nC @ 10 V
±25V
1781 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STMicroelectronics
2,000
现货
1 : ¥42.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
34A（Tc）
10V
88 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW56N60M2
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
STMicroelectronics
594
现货
1 : ¥74.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
52A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 26A，10V
4V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3750 pF @ 100 V
-
350W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW40N95DK5
MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
30 : ¥96.78800
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
38A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 100µA
100 nC @ 10 V
±30V
3480 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
-55°C ~ 150°C
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。