单 FET,MOSFET
结果 : 11
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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296 现货 | 1 : ¥39.49000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 24A(Tc) | 10V | 240 毫欧 @ 11A,10V | 5V @ 1mA | 90 nC @ 10 V | ±30V | 3630 pF @ 25 V | - | 335W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247 [B] | TO-247-3 | |||
382 现货 | 1 : ¥38.50000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 800 V | 20A(Tc) | 10V | 195 毫欧 @ 10A,10V | 4V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±30V | 1889 pF @ 100 V | - | 208W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AC | TO-247-3 | |||
325 现货 | 1 : ¥52.62000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 650 V | 47A(Tc) | 10V | 80 毫欧 @ 25.8A,10V | 4V @ 1.72mA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 3800 pF @ 25 V | - | 480W(Tc) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247G | TO-247-3 | ||
5,674 市场 | 不可用 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 275 V | 15A(Tc) | 10V | 280 毫欧 @ 10A,10V | 4V @ 250µA | 59 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 150W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247 | TO-247-3 | ||
323 市场 | 不可用 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 350 V | 16A(Tc) | 10V | 300 欧姆 @ 8.9A,10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 180W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247 | TO-247-3 | ||
3,000 市场 | 不可用 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 38A(Tc) | 10V | 71 毫欧 @ 38A,10V | 4V @ 250µA | 280 nC @ 20 V | ±20V | 4023 pF @ 25 V | - | 310W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
370 市场 | 不可用 | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 105A(Tc) | 10V | 10 毫欧 @ 52.5A,10V | 4V @ 250µA | 191 nC @ 10 V | ±30V | 6150 pF @ 25 V | - | 330W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | |||
846 市场 | 不可用 | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 400 V | 35A(Tc) | 10V | 105 毫欧 @ 17.5A,10V | 5V @ 250µA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 5600 pF @ 25 V | - | 310W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | |||
124 现货 | 1 : ¥312.22000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 90A(Tc) | 20V | 34 毫欧 @ 50A,20V | 4V @ 15mA | 195 nC @ 20 V | +25V,-10V | 3600 pF @ 1000 V | - | 463W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
563 市场 | 不可用 | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 76A(Tc) | 10V | 36 毫欧 @ 38A,10V | 4V @ 250µA | 285 nC @ 10 V | ±30V | 12385 pF @ 100 V | - | 543W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247 | TO-247-3 | |||
49 现货 | 1 : ¥155.82000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 30A(Tc) | 10V | 440 毫欧 @ 16A,10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8500 pF @ 25 V | - | 1040W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | T-MAX™ [B2] | TO-247-3 变式 |
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