单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™ IIIThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Tc）120A（Tc）131A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V5.6 毫欧 @ 30A，10V10.1 毫欧 @ 30A，10V305 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V85 nC @ 10 V150 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3330 pF @ 50 V3700 pF @ 25 V7000 pF @ 50 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
供应商器件封装
10-PowerSOPowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,817
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.82954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.4A（Tc）
6V，10V
305 毫欧 @ 3.8A，10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Vishay Siliconix
629
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥9.18041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
131A（Tc）
7.5V，10V
5.6 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.18586
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。