CSD16570 Texas Instruments

分立半导体产品 | 单 FET，MOSFET

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

CSD16570Q5B MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Texas Instruments	4,025 现货	1 : ¥19.21000 剪切带（CT） 2,500 : ¥7.07988 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	100A（Ta）	4.5V，10V	0.59 毫欧 @ 50A，10V	1.9V @ 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	14000 pF @ 12 V	-	3.2W（Ta），195W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-VSON-CLIP（5x6）	8-PowerTDFN
CSD16570Q5BT MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Texas Instruments	18,296 现货	1 : ¥24.18000 剪切带（CT） 250 : ¥10.78624 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	100A（Ta）	4.5V，10V	0.59 毫欧 @ 50A，10V	1.9V @ 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	14000 pF @ 12 V	-	3.2W（Ta），195W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-VSONP（5x6）	8-PowerTDFN

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