BSH201 Nexperia USA Inc.

分立半导体产品 | 单 FET，MOSFET

比较	制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

	BSH201,215 MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	14,785 现货	1 : ¥3.26000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.88512 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	300mA（Ta）	4.5V，10V	2.5 欧姆 @ 160mA，10V	1V @ 1mA（最小）	3 nC @ 10 V	±20V	70 pF @ 48 V	-	417mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-236AB	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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